El dopaje es la inserción selectiva de átomos extraños en la red cristalina de un semiconductor. El dopaje puede ser usado para cambiar las propiedades eléctricas de los semiconductores. Entre otras cosas, los materiales semiconductores de las células solares se dopan para producir electrones defectuosos. Para ello, se introducen átomos de boro o átomos de fósforo en la red cristalina de silicio. Debido al hecho de que los elementos pertenecen a diferentes grupos principales de elementos, se produce una escasez de electrones, un p-doping, o un exceso de electrones, un n-doping. El fósforo (5º grupo principal) tiene un electrón más y el boro (3º grupo principal) un electrón menos que el necesario para el enlace de valencia con el silicio. El dopaje mejora significativamente la conductividad eléctrica del semiconductor.
La figura 1 muestra el silicio p-dopado con boro (izquierda) y n-dopado con fósforo (derecha).
Dopaje
doping